RN2110CT(TPL3)
RN2110CT(TPL3)
Modello di prodotti:
RN2110CT(TPL3)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
74722 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
RN2110CT(TPL3).pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-RN2110CT(TPL3)
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):20V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:150mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:CST3
Serie:-
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Potenza - Max:50mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SC-101, SOT-883
Altri nomi:RN2110CT(TPL3)TR
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:300 @ 1mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):50mA
Email:[email protected]

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