RN1908(T5L,F,T)
- Modello di prodotti:
- RN1908(T5L,F,T)
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrizione:
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 82636 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- RN1908(T5L,F,T).pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-RN1908(T5L,F,T) |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor: | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | US6 |
| Serie: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2): | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 22 kOhms |
| Potenza - Max: | 200mW |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi: | RN1908(T5LFT)CT |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 250MHz |
| Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6 |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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