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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > R6020425HSYA
R6020425HSYA
Modello di prodotti:
R6020425HSYA
fabbricante:
Powerex, Inc.
Descrizione:
DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
36685 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
R6020425HSYA.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-R6020425HSYA
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:2V @ 800A
Tensione - inversa (Vr) (max):400V
Contenitore dispositivo fornitore:DO-205AB, DO-9
Velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):1µs
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:DO-205AB, DO-9, Stud
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-45°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Chassis, Stud Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo:Standard
Descrizione dettagliata:Diode Standard 400V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
Corrente - Dispersione inversa a Vr:50mA @ 400V
Corrente - raddrizzata media (Io):250A
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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Parti relative per R6020425HSYA

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
R6020ANX Image R6020ANX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM Inchiesta
R6020622PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB Inchiesta
R6020222PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB Inchiesta
R6020422PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB Inchiesta
R6020835ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB Inchiesta
R6020825HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB Inchiesta
R6020235ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB Inchiesta
R60200-1CRQ Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS Inchiesta
R6020ANZC8 Image R6020ANZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Inchiesta
R6020822PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB Inchiesta
R6020435ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB Inchiesta
R6020225HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB Inchiesta
R60200-1STR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS Inchiesta
R60200-3CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS Inchiesta
R6020625HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB Inchiesta
R60200-1STRM Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS Inchiesta
R6020ANJTL Image R6020ANJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS Inchiesta
R6018ANJTL Image R6018ANJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS Inchiesta
R60200-1CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS Inchiesta
R6020635ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB Inchiesta

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