PMT200EN,115
- Modello di prodotti:
- PMT200EN,115
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 81446 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- PMT200EN,115.pdf
introduzione
We can supply PMT200EN,115, use the request quote form to request PMT200EN,115 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number PMT200EN,115.The price and lead time for PMT200EN,115 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# PMT200EN,115.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specifiche
| Numero di parte interno | RO-PMT200EN,115 |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-223 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 235 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 800mW (Ta), 8.3W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-261-4, TO-261AA |
| Altri nomi: | 934066917115 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 475pF @ 80V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 100V 1.8A (Ta) 800mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PMT200EN,115
Latest Notizie
- NXP collabora con Amazon Web Services (AWS) per espandere le opportunità di business nei veicoli connessi
- NXP Semiconductors annuncia un dividendo trimestrale
- NXP Semiconductors e Jefferies dimostreranno l'insegnamento del sistema di alimentazione RF 5G
- NXP estende la sua posizione di leader nell'infrastruttura 5G con moduli multi-chip RF di seconda generazione che aumentano frequenza, potenza ed efficienza
- NXP ha annunciato un kit completo di soluzioni di sensori radar in grado di circondare il veicolo in un bozzolo di sicurezza a 360 gradi