MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR
Modello di prodotti:
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR
fabbricante:
Micron Technology
Descrizione:
IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
42356 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:-
Tensione di alimentazione -:1.1V
Tecnologia:SDRAM - Mobile LPDDR4
Serie:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Altri nomi:MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR-ND
MT53B256M64D2NK-053WTES:CTR
temperatura di esercizio:-30°C ~ 85°C (TC)
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:16Gb (256M x 64)
Interfaccia di memoria:-
Formato di memoria:DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (256M x 64) 1866MHz
Frequenza dell'orologio:1866MHz
Email:[email protected]

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