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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > MDO500-20N1
MDO500-20N1
Modello di prodotti:
MDO500-20N1
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
DIODE MODULE 2KV 560A Y1-CU
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
34065 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
MDO500-20N1.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-MDO500-20N1
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - Picco inversa (max):Standard
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:560A
Tensione - Ripartizione:Y1-CU
Serie:-
Stato RoHS:Bulk
Tempo di ripristino inverso (trr):Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistenza a If, F:576pF @ 700V, 1MHz
Polarizzazione:Y1-CU
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:MDO500-20N1
Descrizione espansione:Diode Standard 2000V (2kV) 560A Chassis Mount Y1-CU
Configurazione diodo:30mA @ 2000V
Descrizione:DIODE MODULE 2KV 560A Y1-CU
Corrente - Dispersione inversa a Vr:1.3V @ 1200A
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo):2000V (2kV)
Email:[email protected]

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Parti relative per MDO500-20N1

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
CDLL485B Image CDLL485B Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 180V 200MA DO213 Inchiesta
MDO500-12N1 Image MDO500-12N1 IXYS Corporation DIODE GEN PURP 1.2KV 560A Y1-CU Inchiesta
MDO500-22N1 Image MDO500-22N1 IXYS Corporation DIODE GEN PURP 2.2KV 560A Y1-CU Inchiesta
MDO1200-22N1 IXYS Corporation DIODE GEN PURP 2.2KV Y1-CU Inchiesta
MDO600-16N1 IXYS DIODE MODULE 1.6KV 608A Inchiesta
1N3913AR Microsemi FAST RECOVERY RECTIFIER Inchiesta
MDO1200-20N1 IXYS Corporation DIODE GEN PURP 2KV Y1-CU Inchiesta
MS109E3/TR12 Image MS109E3/TR12 Microsemi DIODE SCHOTTKY 90V 1A DO204AL Inchiesta
R9G21212CSOO Powerex, Inc. DIODE GP 1.2KV 1200A DO200AB Inchiesta
MDO1200-18N1 IXYS Corporation DIODE GEN PURP 1.8KV Y1-CU Inchiesta
MDO1200-16N1 IXYS Corporation DIODE GEN PURP 1.6KV Y1-CU Inchiesta
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HER305G B0G Image HER305G B0G TSC (Taiwan Semiconductor) DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD Inchiesta
RL 10Z Sanken Electric Co., Ltd. DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL Inchiesta
MDO500-16N1 IXYS DIODE MODULE 1.6KV 560A Y1-CU Inchiesta
RS2B-13 Image RS2B-13 Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB Inchiesta
MDO1201-22N1 IXYS DIODE MODULE 2.2KV 1950A Inchiesta
SS14-M3/61T Image SS14-M3/61T Electro-Films (EFI) / Vishay DIODE SCHOTTKY 1A 40V DO-214AC Inchiesta
MDO500-18N1 IXYS DIODE MODULE 1.8KV 560A Y1-CU Inchiesta
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