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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTQ150N06P
IXTQ150N06P
IXTQ150N06P
Modello di prodotti:
IXTQ150N06P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
37776 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
IXTQ150N06P.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-IXTQ150N06P
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3P
Serie:PolarHT™
Rds On (max) a Id, Vgs:10 mOhm @ 75A, 10V
Dissipazione di potenza (max):480W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-3P-3, SC-65-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:118nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 150A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3P
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:150A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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