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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXKH35N60C5
IXKH35N60C5
IXKH35N60C5
Modello di prodotti:
IXKH35N60C5
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
77412 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
IXKH35N60C5.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-IXKH35N60C5
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:3.9V @ 1.2mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247AD (IXKH)
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:100 mOhm @ 18A, 10V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-3P-3 Full Pack
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:70nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:Super Junction
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 35A (Tc) Through Hole TO-247AD (IXKH)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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