IXFT20N60Q
- Modello di prodotti:
- IXFT20N60Q
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 20A TO-268
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 63182 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IXFT20N60Q.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-IXFT20N60Q |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 4mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-268 |
| Serie: | HiPerFET™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 350 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 300W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3300pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 90nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 600V 20A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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