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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFH100N25P
IXFH100N25P
IXFH100N25P
Modello di prodotti:
IXFH100N25P
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 100A TO-247
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
43347 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
IXFH100N25P.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-IXFH100N25P
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247AD
Serie:PolarHT™ HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:27 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):600W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:185nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):250V
Descrizione dettagliata:N-Channel 250V 100A (Tc) 600W (Tc) Through Hole TO-247AD
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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