IRFR1N60ATRPBF
- Modello di prodotti:
- IRFR1N60ATRPBF
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 88800 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IRFR1N60ATRPBF.pdf
introduzione
We can supply IRFR1N60ATRPBF, use the request quote form to request IRFR1N60ATRPBF pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IRFR1N60ATRPBF.The price and lead time for IRFR1N60ATRPBF depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IRFR1N60ATRPBF.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specifiche
| Numero di parte interno | RO-IRFR1N60ATRPBF |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D-Pak |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 7 Ohm @ 840mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 36W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | IRFR1N60APBFTR IRFR1N60ATRPBF-ND IRFR1N60ATRPBFTR-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 18 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 229pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 600V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount D-Pak |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1.4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IRFR1N60ATRPBF
Latest Notizie
- Toshiba lancia il driver del gate della serie SmartMCD IC con microcontrollore incorporato
- Displementazione del kit Sambanova ADI, promuovendo la formula di produzione AI per raggiungere la svolta a livello aziendale
- Honeywell e Adi si sono uniti per promuovere l'innovazione e il cambiamento dell'automazione dell'edificio
- Maxim ha annunciato il lancio
- Maxim lancia un convertitore DC-DC Max16984, un'auto con enumatori di ricarica USB integrati
- Renesas Electronics lancia il primo driver elettrico programmabile del settore IC
- Renesas ha lanciato la prima generazione di kernel CPU RISC-V a 32 bit
- Vishay ha lanciato il nuovo accoppiamento di luce a bassa potenza da 10 mbd, a partire da 5 mA, l'intervallo di tensione è da 2,7 V a 5,5 V.
- Melexis ha lanciato una nuova soluzione di deviazione intelligente per integrare la sicurezza affidabile
- Toshiba ha sviluppato il primo modulo MOSFET a doppia Carbide da 2200 V del settore per aiutare l'efficiente e la miniaturizzazione delle attrezzature industriali
- L'era DDR5 si sta avvicinando e le nuove sfide non possono essere ignorate
- Renesas apre la mappa del percorso del prodotto per il processore auto e del processore MCU successivo