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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > EPC2103
EPC2103
EPC2103
Modello di prodotti:
EPC2103
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
62150 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
EPC2103.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-EPC2103
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 7mA
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:5.5 mOhm @ 20A, 5V
Potenza - Max:-
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-1183-1
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:760pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.5nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 28A Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:28A
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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EPC2102ENGRT Image EPC2102ENGRT EPC MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE Inchiesta
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