DGD2190S8-13
DGD2190S8-13
Modello di prodotti:
DGD2190S8-13
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
61794 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
DGD2190S8-13.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-DGD2190S8-13
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione di alimentazione -:10 V ~ 20 V
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:-
Tempo di salita / scadenza (Typ):25ns, 20ns
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:DGD2190S8-13DITR
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Frequenza di ingresso:2
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
Tensione logica - VIL, VIH:0.8V, 2.5V
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Non-Inverting
Tensione lato alta corrente - Max (bootstrap):600V
Tipo di porta:IGBT, N-Channel MOSFET
Configurazione guidata:Half-Bridge
Descrizione dettagliata:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO
Corrente - Uscita di picco (sorgente, dispersore):4.5A, 4.5A
Base-Emitter Tensione di saturazione (max):Independent
Email:[email protected]

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