CSD19532KTT
- Modello di prodotti:
- CSD19532KTT
- fabbricante:
- TI
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 59260 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- CSD19532KTT.pdf
introduzione
We can supply CSD19532KTT, use the request quote form to request CSD19532KTT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number CSD19532KTT.The price and lead time for CSD19532KTT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# CSD19532KTT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specifiche
| Numero di parte interno | RO-CSD19532KTT |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Tensione - Prova: | 5060pF @ 50V |
| Tensione - Ripartizione: | DDPAK/TO-263-3 |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5.6 mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs (Max): | 6V, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | NexFET™ |
| Stato RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 200A (Ta) |
| Polarizzazione: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | 296-44970-2 CSD19532KTT-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 2 (1 Year) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 13 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | CSD19532KTT |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 57nC @ 10V |
| Tipo IGBT: | ±20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.2V @ 250µA |
| Caratteristica FET: | N-Channel |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | - |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100V |
| rapporto di capacità: | 250W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per CSD19532KTT
Latest Notizie
- Il nuovo monitoraggio e bilanciamento della batteria ad alta precisione di TI può migliorare le prestazioni dei sistemi di gestione della batteria cablati e wireless
- TI lancia soluzioni BMS wireless leader del settore per rivoluzionare la gestione della batteria dei veicoli elettrici
- TI introduce un nuovo PHY Ethernet a coppia singola per espandere la portata delle applicazioni di automazione di fabbriche e edifici
- Il primo convertitore buck a bassa rumorosità di TI con compensazione del tallone di ferrite integrata semplifica la progettazione ad alta precisione
- Texas Instruments (TI) annuncia i risultati finanziari del terzo trimestre 2020 e i rendimenti degli azionisti
- TI presenta il suo primo GaN FET automobilistico con driver integrato, protezione interna e gestione attiva della potenza