CSD19531Q5A
- Modello di prodotti:
- CSD19531Q5A
- fabbricante:
- TI
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
- Stato RoHS:
- Contiene piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 53358 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- CSD19531Q5A.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-CSD19531Q5A |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Tensione - Prova: | 3870pF @ 50V |
| Tensione - Ripartizione: | 8-VSON (5x6) |
| Vgs (th) (max) a Id: | 6.4 mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (Max): | 6V, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | NexFET™ |
| Stato RoHS: | Digi-Reel® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 100A (Tc) |
| Polarizzazione: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | 296-41232-6 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 20 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | CSD19531Q5A |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 48nC @ 10V |
| Tipo IGBT: | ±20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.3V @ 250µA |
| Caratteristica FET: | N-Channel |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 100A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-VSON (5x6) |
| Tensione drain-source (Vdss): | - |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 100A 8SON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100V |
| rapporto di capacità: | 3.3W (Ta), 125W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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