CDBGBSC20650-G
- Modello di prodotti:
- CDBGBSC20650-G
- fabbricante:
- Comchip Technology
- Descrizione:
- DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 74815 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- CDBGBSC20650-G.pdf
introduzione
We can supply CDBGBSC20650-G, use the request quote form to request CDBGBSC20650-G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number CDBGBSC20650-G.The price and lead time for CDBGBSC20650-G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# CDBGBSC20650-G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Specifiche
| Numero di parte interno | RO-CDBGBSC20650-G |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Tensione - diretta (Vf) (max) a If: | 1.7V @ 10A |
| Tensione - inversa (Vr) (max): | 650V |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-247 |
| Velocità: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tempo di ripristino inverso (trr): | 0ns |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| Temperatura di funzionamento - Giunzione: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Configurazione diodo: | 1 Pair Common Cathode |
| Descrizione dettagliata: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Silicon Carbide Schottky 650V 33A (DC) Through Hole TO-247-3 |
| Corrente - Dispersione inversa a Vr: | 100µA @ 650V |
| Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo): | 33A (DC) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per CDBGBSC20650-G
Latest Notizie
- Toshiba lancia il driver del gate della serie SmartMCD IC con microcontrollore incorporato
- Displementazione del kit Sambanova ADI, promuovendo la formula di produzione AI per raggiungere la svolta a livello aziendale
- Honeywell e Adi si sono uniti per promuovere l'innovazione e il cambiamento dell'automazione dell'edificio
- Maxim ha annunciato il lancio
- Maxim lancia un convertitore DC-DC Max16984, un'auto con enumatori di ricarica USB integrati
- Renesas Electronics lancia il primo driver elettrico programmabile del settore IC
- Renesas ha lanciato la prima generazione di kernel CPU RISC-V a 32 bit
- Vishay ha lanciato il nuovo accoppiamento di luce a bassa potenza da 10 mbd, a partire da 5 mA, l'intervallo di tensione è da 2,7 V a 5,5 V.
- Melexis ha lanciato una nuova soluzione di deviazione intelligente per integrare la sicurezza affidabile
- Toshiba ha sviluppato il primo modulo MOSFET a doppia Carbide da 2200 V del settore per aiutare l'efficiente e la miniaturizzazione delle attrezzature industriali
- L'era DDR5 si sta avvicinando e le nuove sfide non possono essere ignorate
- Renesas apre la mappa del percorso del prodotto per il processore auto e del processore MCU successivo