BSM120D12P2C005
- Modello di prodotti:
- BSM120D12P2C005
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 78738 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-BSM120D12P2C005 |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.7V @ 22mA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Module |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | - |
| Potenza - Max: | 780W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | Module |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 14000pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET: | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 120A (Tc) 780W Module |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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