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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > APTGT20H60T1G
APTGT20H60T1G
Modello di prodotti:
APTGT20H60T1G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
83436 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
APTGT20H60T1G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-APTGT20H60T1G
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:1.9V @ 15V, 20A
Contenitore dispositivo fornitore:SP1
Serie:-
Potenza - Max:62W
Contenitore / involucro:SP1
temperatura di esercizio:-40°C ~ 175°C (TJ)
Termistore NTC:Yes
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:32 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:1.1nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:Trench Field Stop
Descrizione dettagliata:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 32A 62W Chassis Mount SP1
Corrente - Cutoff collettore (max):250µA
Corrente - collettore (Ic) (max):32A
Configurazione:Full Bridge Inverter
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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