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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-moduli > APTGF200A120D3G
APTGF200A120D3G
Modello di prodotti:
APTGF200A120D3G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
76392 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
APTGF200A120D3G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-APTGF200A120D3G
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:3.7V @ 15V, 200A
Contenitore dispositivo fornitore:D3
Serie:-
Potenza - Max:1400W
Contenitore / involucro:D-3 Module
temperatura di esercizio:-
Termistore NTC:No
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:13nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:NPT
Descrizione dettagliata:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 300A 1400W Chassis Mount D3
Corrente - Cutoff collettore (max):5mA
Corrente - collettore (Ic) (max):300A
Configurazione:Half Bridge
Email:[email protected]

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Parti relative per APTGF200A120D3G

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
APTGF250A60D3G Microsemi IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3 Inchiesta
APTGF250DA60D3G Microsemi IGBT 600V 400A 1250W D3 Inchiesta
APTGF200SK120D3G Microsemi IGBT 1200V 300A 1400W D3 Inchiesta
APTGF165DA60D1G Microsemi IGBT 600V 230A 730W D1 Inchiesta
APTGF165A60D1G Image APTGF165A60D1G Microsemi IGBT NPT PHASE 600V 230A D1 Inchiesta
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APTGF15X120T3G Microsemi IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3 Inchiesta
APTGF165SK60D1G Microsemi IGBT 600V 230A 730W D1 Inchiesta
APTGF200U120DG Microsemi IGBT 1200V 275A 1136W SP6 Inchiesta
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APTGF25DSK120T3G Microsemi IGBT MODULE NPT DL BCK CHOP SP3 Inchiesta
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