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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > APT45GR65BSCD10
APT45GR65BSCD10
Modello di prodotti:
APT45GR65BSCD10
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
56151 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
APT45GR65BSCD10.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-APT45GR65BSCD10
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):650V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.4V @ 15V, 45A
Condizione di test:433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:15ns/100ns
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):80ns
Potenza - Max:543W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:NPT
carica gate:203nC
Descrizione dettagliata:IGBT NPT 650V 118A 543W Through Hole TO-247
Corrente - collettore Pulsed (Icm):224A
Corrente - collettore (Ic) (max):118A
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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