AON7932_101
AON7932_101
Modello di prodotti:
AON7932_101
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
55319 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
AON7932_101.pdf

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-AON7932_101
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:2.4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-DFN (3x3)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:20 mOhm @ 6.6A, 10V
Potenza - Max:1.4W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:8-WDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:460pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.5nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.6A, 8.1A 1.4W Surface Mount 8-DFN (3x3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.6A, 8.1A
Email:[email protected]

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