Belső rész száma | RO-SI4943CDY-T1-E3 |
---|---|
Feltétel | Original New |
Ország eredete | Contact us |
Top jelölés | email us |
Csere | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
Szállító eszközcsomag: | 8-SO |
Sorozat: | TrenchFET® |
RDS bekapcsolva (Max) @ Id, Vgs: | 19.2 mOhm @ 8.3A, 10V |
Teljesítmény - Max: | 3.1W |
Csomagolás: | Tape & Reel (TR) |
Csomagolás / tok: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Más nevek: | SI4943CDY-T1-E3-ND SI4943CDY-T1-E3TR |
Üzemi hőmérséklet: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Szerelési típus: | Surface Mount |
Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
Bemeneti kapacitás (Ciss) (Max) @ Vds: | 1945pF @ 10V |
Kapu töltés (Qg) (Max) @ Vgs: | 62nC @ 10V |
FET típus: | 2 P-Channel (Dual) |
FET funkció: | Logic Level Gate |
Leeresztés a forrásfeszültséghez (Vdss): | 20V |
Részletes leírás: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO |
Áram - Folyamatos leeresztés (Id) @ 25 ° C: | 8A |
Alap rész száma: | SI4943 |
Email: | [email protected] |