Κάρτα Γραμμής

Transphorm

- Η Transphorm είναι μια παγκόσμια εταιρεία ημιαγωγών που αναπτύσσει FETs για το νιτρίδιο του γαλλίου (GaN) για εφαρμογές μετατροπής ενέργειας υψηλής τάσης. Χτισμένο σε ένα πρωτοποριακό χαρτοφυλάκιο IP και πάνω από 300 χρόνια συνδυασμένης τεχνογνωσίας της GaN, η Transphorm προσφέρει τις υψηλότερες επιδόσεις και υψηλότερη αξιοπιστία των συσκευών GaN και την κορυφαία υποστήριξη σχεδιασμού εφαρμογών σε μια αυξανόμενη πελατειακή βάση. Η Transphorm δημιουργεί καινοτομίες που ξεπερνούν τους περιορισμούς του πυριτίου για να καλύψουν το 90% των σημερινών ενεργειακών απωλειών.

Αριθμός εξαρτήματος	Περιγραφή	Θέα
TPH3208LDG	MOSFET N-CH 650V 20A PQFN	Έρευνα
TPH3205WSB	MOSFET N-CH 650V 36A TO247	Έρευνα
TPH3206PD	MOSFET N-CH 600V 17A TO220	Έρευνα
TPH3206LS	MOSFET N-CH 600V 17A PQFN	Έρευνα
TP90H180PS	MOSFET N-CH 900V 15A TO220AB	Έρευνα
TP65H050WS	650 V 34 A CASCODE GAN FET	Έρευνα
TPD3215M	CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE	Έρευνα
TPH3208PD	MOSFET N-CH 650V 20A TO220	Έρευνα
TPH3206PS	MOSFET N-CH 600V 17A TO220	Έρευνα
TPH3206LSB	MOSFET N-CH 650V 16A PQFN	Έρευνα
TPH3208LSG	MOSFET N-CH 650V 20A 3PQFN	Έρευνα
TPH3206PSB	MOSFET N-CH 650V 16A TO220AB	Έρευνα
TPH3208LD	MOSFET N-CH 650V 20A PQFN	Έρευνα
TPH3207WS	MOSFET N-CH 650V 50A TO247	Έρευνα
TPH3206LDGB	MOSFET N-CH 650V 16A PQFN	Έρευνα
TPH3212PS	MOSFET N-CH 650V 27A TO220	Έρευνα
TP65H035WS	650 V 46.5 CASCODE GAN FET	Έρευνα
TPH3206LD	MOSFET N-CH 600V 17A PQFN	Έρευνα
TPH3208PS	MOSFET N-CH 650V 20A TO220	Έρευνα
TPH3202LD	MOSFET N-CH 600V 9A PQFN	Έρευνα
TPH3202PS	MOSFET N-CH 600V 9A TO220	Έρευνα
TPH3205WSBQA	MOSFET N-CH 650V 35A TO247	Έρευνα
TPH3202LS	MOSFET N-CH 600V 9A PQFN	Έρευνα
TPH3202PD	MOSFET N-CH 600V 9A TO220	Έρευνα
TPH3206LDB	MOSFET N-CH 650V 16A PQFN	Έρευνα
TPH3208LS	MOSFET N-CH 650V 20A PQFN	Έρευνα

εγγραφές 26

Τρέχουσα σελίδα:1/1Προηγούμενος1ΕπόμενοςΤέλος