بطاقة خط

Transphorm

- Transphorm هي شركة عالمية لأشباه الموصلات تقوم بتطوير نيتريد الغاليوم (GaN) FET لتطبيقات تحويل الطاقة ذات الجهد العالي. تم تصميم Transphorm على محفظة IP رائدة في الصناعة وأكثر من 300 عام من الخبرة الهندسية المشتركة لـ GaN ، وهو يقدم أعلى أداء وأداء أعلى من أجهزة GaN ودعم التصميم الذي يعتمد على التطبيقات الأفضل في فئته لقاعدة عملاء متزايدة. تقوم Transphorm بإنشاء ابتكارات تتجاوز حدود السليكون لالتقاط 90٪ من خسائر الطاقة اليوم.

رقم القطعة	وصف	رأي
TPH3208LDG	MOSFET N-CH 650V 20A PQFN	تحقيق
TPH3205WSB	MOSFET N-CH 650V 36A TO247	تحقيق
TPH3206PD	MOSFET N-CH 600V 17A TO220	تحقيق
TPH3206LS	MOSFET N-CH 600V 17A PQFN	تحقيق
TP90H180PS	MOSFET N-CH 900V 15A TO220AB	تحقيق
TP65H050WS	650 V 34 A CASCODE GAN FET	تحقيق
TPD3215M	CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE	تحقيق
TPH3208PD	MOSFET N-CH 650V 20A TO220	تحقيق
TPH3206PS	MOSFET N-CH 600V 17A TO220	تحقيق
TPH3206LSB	MOSFET N-CH 650V 16A PQFN	تحقيق
TPH3208LSG	MOSFET N-CH 650V 20A 3PQFN	تحقيق
TPH3206PSB	MOSFET N-CH 650V 16A TO220AB	تحقيق
TPH3208LD	MOSFET N-CH 650V 20A PQFN	تحقيق
TPH3207WS	MOSFET N-CH 650V 50A TO247	تحقيق
TPH3206LDGB	MOSFET N-CH 650V 16A PQFN	تحقيق
TPH3212PS	MOSFET N-CH 650V 27A TO220	تحقيق
TP65H035WS	650 V 46.5 CASCODE GAN FET	تحقيق
TPH3206LD	MOSFET N-CH 600V 17A PQFN	تحقيق
TPH3208PS	MOSFET N-CH 650V 20A TO220	تحقيق
TPH3202LD	MOSFET N-CH 600V 9A PQFN	تحقيق
TPH3202PS	MOSFET N-CH 600V 9A TO220	تحقيق
TPH3205WSBQA	MOSFET N-CH 650V 35A TO247	تحقيق
TPH3202LS	MOSFET N-CH 600V 9A PQFN	تحقيق
TPH3202PD	MOSFET N-CH 600V 9A TO220	تحقيق
TPH3206LDB	MOSFET N-CH 650V 16A PQFN	تحقيق
TPH3208LS	MOSFET N-CH 650V 20A PQFN	تحقيق

سجلات 26

الصفحة الحالية:1/1سابق1التالينهاية