TPN2R203NC,L1Q
- Αριθμός εξαρτήματος:
- TPN2R203NC,L1Q
- Κατασκευαστής:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 47847 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- TPN2R203NC,L1Q.pdf
Εισαγωγή
We can supply TPN2R203NC,L1Q, use the request quote form to request TPN2R203NC,L1Q pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TPN2R203NC,L1Q.The price and lead time for TPN2R203NC,L1Q depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TPN2R203NC,L1Q.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-TPN2R203NC,L1Q |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 500µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Σειρά: | U-MOSVIII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.2 mOhm @ 22.5A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 700mW (Ta), 42W (Tc) |
| Συσκευασία: | Cut Tape (CT) |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 8-PowerVDFN |
| Αλλα ονόματα: | TPN2R203NC,L1QCT TPN2R203NC,L1QCT-ND TPN2R203NCL1QCT |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 2230pF @ 15V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 34nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 30V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 30V 45A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 45A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για TPN2R203NC,L1Q
Latest Ειδήσεις
- Η Toshiba έχει αναπτύξει την πρώτη μονάδα MOSFET 2200V Dual -Carbide του κλάδου για να βοηθήσει την αποτελεσματική και μικρογραφία του βιομηχανικού εξοπλισμού
- Toshiba κυκλοφόρησε το πρώτο 200V τρανζίστορ optocoupler αυτοκίνητο παραγωγής
- Η TOSHIBA εγκαινιάζει υψηλή αναλογία απόρριψης κυματισμού και ρυθμιστή χαμηλού θορύβου LDO με υψηλότερη σταθερότητα γραμμής ισχύος
- Η TOSHIBA εισάγει λεπτούς και ελαφρούς οπτοζεύκτες για κίνηση IGBT και MOSFET, λειτουργία υψηλής θερμοκρασίας, οπίσθιες θέσεις ή θέσεις περιορισμού ύψους: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- Η TOSHIBA λανσάρει διακριτά IGBT που βοηθούν στη μείωση της κατανάλωσης ενέργειας και της ακτινοβολίας οικιακών συσκευών: GT30J110SRA
- Η Toshiba λανσάρει 5Α 2-καναλιών H-Bridge κινητήρα IC για εφαρμογές αυτοκινήτων
- Η Toshiba λανσάρει 5 νέους εξελιγμένους μικροελεγκτές οικογένειας TXZ + ™ για να επιτύχει χαμηλή κατανάλωση ενέργειας, μικρογραφία συστήματος υποστήριξης και έλεγχο κινητήρα