TH58NYG2S3HBAI4
Αριθμός εξαρτήματος:
TH58NYG2S3HBAI4
Κατασκευαστής:
Toshiba Memory America, Inc.
Περιγραφή:
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
81230 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
TH58NYG2S3HBAI4.pdf

Εισαγωγή

We can supply TH58NYG2S3HBAI4, use the request quote form to request TH58NYG2S3HBAI4 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TH58NYG2S3HBAI4.The price and lead time for TH58NYG2S3HBAI4 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TH58NYG2S3HBAI4.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-TH58NYG2S3HBAI4
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page:25ns
Τάσης - Προμήθεια:1.7 V ~ 1.95 V
Τεχνολογία:FLASH - NAND (SLC)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:63-TFBGA (9x11)
Σειρά:-
Συσκευασία / υπόθεση:63-VFBGA
Θερμοκρασία λειτουργίας:-40°C ~ 85°C (TA)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Τύπος μνήμης:Non-Volatile
Μέγεθος μνήμης:4Gb (512M x 8)
Διασύνδεση μνήμης:-
Μορφή μνήμης:FLASH
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Λεπτομερής περιγραφή:FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) 63-TFBGA (9x11)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Latest Ειδήσεις