TH58BYG3S0HBAI6
- Αριθμός εξαρτήματος:
- TH58BYG3S0HBAI6
- Κατασκευαστής:
- Toshiba Memory America, Inc.
- Περιγραφή:
- 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 67635 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- TH58BYG3S0HBAI6.pdf
Εισαγωγή
We can supply TH58BYG3S0HBAI6, use the request quote form to request TH58BYG3S0HBAI6 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TH58BYG3S0HBAI6.The price and lead time for TH58BYG3S0HBAI6 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TH58BYG3S0HBAI6.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-TH58BYG3S0HBAI6 |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page: | 25ns |
| Τάσης - Προμήθεια: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Τεχνολογία: | FLASH - NAND (SLC) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Σειρά: | Benand™ |
| Συσκευασία / υπόθεση: | 67-VFBGA |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Surface Mount |
| Τύπος μνήμης: | Non-Volatile |
| Μέγεθος μνήμης: | 8Gb (1G x 8) |
| Διασύνδεση μνήμης: | - |
| Μορφή μνήμης: | FLASH |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Λεπτομερής περιγραφή: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 8Gb (1G x 8) 67-VFBGA (6.5x8) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για TH58BYG3S0HBAI6
Latest Ειδήσεις
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή
- ADI Deployment Sambanova Kit, προωθώντας τον τύπο παραγωγής AI για να επιτύχει την επανάσταση σε επίπεδο επιχειρήσεων
- Η Honeywell και η Adi εντάχθηκαν στα χέρια για να προωθήσουν την καινοτομία και την αλλαγή του αυτοματισμού κτιρίων
- Ο Maxim ανακοίνωσε την εκτόξευση
- Η Maxim ξεκινά έναν μετατροπέα DC-DC CAR MAX16984, ένα αυτοκίνητο με ενσωματωμένους απατεώνες φόρτισης USB
- Η Renesas Electronics εγκαινιάζει το πρώτο προγραμματιζόμενο ηλεκτρικό οδηγό της βιομηχανίας
- Ο Renesas ξεκίνησε την πρώτη γενιά πυρήνα CPU 32-bit RISC-V
- Ο Vishay ξεκίνησε τη νέα σύζευξη φωτός Low -Power 10 MBD, τόσο χαμηλά όσο 5 mA, η περιοχή τάσης είναι 2,7 V έως 5,5 V
- Η Melexis ξεκίνησε μια νέα έξυπνη λύση εκτροπής για την ενσωμάτωση αξιόπιστης ασφάλειας
- Η Toshiba έχει αναπτύξει την πρώτη μονάδα MOSFET 2200V Dual -Carbide του κλάδου για να βοηθήσει την αποτελεσματική και μικρογραφία του βιομηχανικού εξοπλισμού
- Η εποχή του DDR5 πλησιάζει και οι νέες προκλήσεις δεν μπορούν να αγνοηθούν
- Ο Renesas ανοίγει το επόμενο Generation Car SoC και MCU Productor Route Product Map