TH58NYG2S3HBAI4
- Número de pieza:
- TH58NYG2S3HBAI4
- Fabricante:
- Toshiba Memory America, Inc.
- Descripción:
- 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 81230 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- TH58NYG2S3HBAI4.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-TH58NYG2S3HBAI4 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 25ns |
| Suministro de voltaje: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Tecnología: | FLASH - NAND (SLC) |
| Paquete del dispositivo: | 63-TFBGA (9x11) |
| Serie: | - |
| Paquete / Cubierta: | 63-VFBGA |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 4Gb (512M x 8) |
| Interfaz de memoria: | - |
| Formato de memoria: | FLASH |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) 63-TFBGA (9x11) |
| Email: | [email protected] |
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