IXFN280N085
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IXFN280N085
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 89702 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IXFN280N085.pdf
Εισαγωγή
We can supply IXFN280N085, use the request quote form to request IXFN280N085 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFN280N085.The price and lead time for IXFN280N085 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFN280N085.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-IXFN280N085 |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 8mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή: | SOT-227B |
| Σειρά: | HiPerFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.4 mOhm @ 100A, 10V |
| Έκλυση ενέργειας (Max): | 700W (Tc) |
| Συσκευασία: | Tube |
| Συσκευασία / υπόθεση: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 19000pF @ 25V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 580nC @ 10V |
| FET Τύπος: | N-Channel |
| FET Χαρακτηριστικό: | - |
| Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | 85V |
| Λεπτομερής περιγραφή: | N-Channel 85V 280A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 280A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IXFN280N085
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN32N60 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227 | Έρευνα |
|
IXFN26N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN280N07 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN32N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN300N10P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227 | Έρευνα |
|
IXFN32N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN24N90Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN27N80 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN30N110P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN24N100F | IXYS RF | MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B | Έρευνα |
|
IXFN32N100Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227 | Έρευνα |
|
IXFN300N20X3 | IXYS Corporation | 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | Έρευνα |
|
IXFN26N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN27N80Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN32N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN25N90 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN30N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN260N17T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227 | Έρευνα |
|
IXFN26N90 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN320N17T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή
- ADI Deployment Sambanova Kit, προωθώντας τον τύπο παραγωγής AI για να επιτύχει την επανάσταση σε επίπεδο επιχειρήσεων
- Η Honeywell και η Adi εντάχθηκαν στα χέρια για να προωθήσουν την καινοτομία και την αλλαγή του αυτοματισμού κτιρίων
- Ο Maxim ανακοίνωσε την εκτόξευση
- Η Maxim ξεκινά έναν μετατροπέα DC-DC CAR MAX16984, ένα αυτοκίνητο με ενσωματωμένους απατεώνες φόρτισης USB
- Η Renesas Electronics εγκαινιάζει το πρώτο προγραμματιζόμενο ηλεκτρικό οδηγό της βιομηχανίας
- Ο Renesas ξεκίνησε την πρώτη γενιά πυρήνα CPU 32-bit RISC-V
- Ο Vishay ξεκίνησε τη νέα σύζευξη φωτός Low -Power 10 MBD, τόσο χαμηλά όσο 5 mA, η περιοχή τάσης είναι 2,7 V έως 5,5 V
- Η Melexis ξεκίνησε μια νέα έξυπνη λύση εκτροπής για την ενσωμάτωση αξιόπιστης ασφάλειας
- Η Toshiba έχει αναπτύξει την πρώτη μονάδα MOSFET 2200V Dual -Carbide του κλάδου για να βοηθήσει την αποτελεσματική και μικρογραφία του βιομηχανικού εξοπλισμού
- Η εποχή του DDR5 πλησιάζει και οι νέες προκλήσεις δεν μπορούν να αγνοηθούν
- Ο Renesas ανοίγει το επόμενο Generation Car SoC και MCU Productor Route Product Map