IXFN32N80P
- Αριθμός εξαρτήματος:
- IXFN32N80P
- Κατασκευαστής:
- IXYS Corporation
- Περιγραφή:
- MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
- Κατάσταση RoHS:
- Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
- Ποσότητα σε Απόθεμα:
- 70956 Pieces
- Ωρα παράδοσης:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Χρόνος παραγωγής:
- 4-8 weeks
- Φύλλο δεδομένων:
- IXFN32N80P.pdf
Εισαγωγή
We can supply IXFN32N80P, use the request quote form to request IXFN32N80P pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFN32N80P.The price and lead time for IXFN32N80P depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFN32N80P.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
| Αριθμός εσωτερικού μέρους | RO-IXFN32N80P |
|---|---|
| Κατάσταση | Original New |
| Προέλευση χώρας | Contact us |
| Κορυφαία σήμανση | email us |
| Αντικατάσταση | See datasheet |
| Τάσης - Test: | 8820pF @ 25V |
| Τάσης - Ανάλυση: | SOT-227B |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 270 mOhm @ 16A, 10V |
| Τεχνολογία: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Σειρά: | PolarHV™ |
| Κατάσταση RoHS: | Tube |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 29A |
| Πόλωση: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Θερμοκρασία λειτουργίας: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| τοποθέτηση Τύπος: | Chassis Mount |
| Επίπεδο ευαισθησίας υγρασίας (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Κατασκευαστής Standard Lead Time: | 8 Weeks |
| Αριθμός εξαρτήματος κατασκευαστή: | IXFN32N80P |
| Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds: | 150nC @ 10V |
| Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs: | 5V @ 8mA |
| FET Χαρακτηριστικό: | N-Channel |
| Διευρυμένη περιγραφή: | N-Channel 800V 29A 625W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss): | - |
| Περιγραφή: | MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B |
| Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C: | 800V |
| Λόγος χωρητικότητα: | 625W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Συναφών ανταλλακτικών για IXFN32N80P
| Εικόνα | Αριθμός εξαρτήματος | Κατασκευαστές | Περιγραφή | Θέα |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN300N20X3 | IXYS Corporation | 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | Έρευνα |
|
IXFN360N15T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 310A SOT227 | Έρευνα |
|
IXFN38N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN32N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN32N60 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227 | Έρευνα |
|
IXFN32N100Q3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227 | Έρευνα |
|
IXFN32N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN340N06 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN360N10T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN320N17T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 | Έρευνα |
|
IXFN300N10P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227 | Έρευνα |
|
IXFN280N085 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN34N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN36N110P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN36N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN36N60 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN30N110P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN34N80 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN340N07 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B | Έρευνα |
|
IXFN30N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B | Έρευνα |
Latest Ειδήσεις
- Η ADI συνεργάζεται με την BMW Group για να ξεκινήσει την κορυφαία τεχνολογία Ethernet Car της βιομηχανίας, ανοίγοντας ένα νέο κεφάλαιο στον ορισμό λογισμικού Automobiles
- Ο Vishay εγκαινιάζει το ποτενσιόμετρο του κουμπιού, απλοποιώντας τον σχεδιασμό και τη βελτιστοποίηση της βιομηχανικής και ηχητικής εφαρμογής
- Η Toshiba εγκαινιάζει το SmartMCD Series Gate Driver IC με ενσωματωμένο μικροελεγκτή
- ADI Deployment Sambanova Kit, προωθώντας τον τύπο παραγωγής AI για να επιτύχει την επανάσταση σε επίπεδο επιχειρήσεων
- Η Honeywell και η Adi εντάχθηκαν στα χέρια για να προωθήσουν την καινοτομία και την αλλαγή του αυτοματισμού κτιρίων
- Ο Maxim ανακοίνωσε την εκτόξευση
- Η Maxim ξεκινά έναν μετατροπέα DC-DC CAR MAX16984, ένα αυτοκίνητο με ενσωματωμένους απατεώνες φόρτισης USB
- Η Renesas Electronics εγκαινιάζει το πρώτο προγραμματιζόμενο ηλεκτρικό οδηγό της βιομηχανίας
- Ο Renesas ξεκίνησε την πρώτη γενιά πυρήνα CPU 32-bit RISC-V
- Ο Vishay ξεκίνησε τη νέα σύζευξη φωτός Low -Power 10 MBD, τόσο χαμηλά όσο 5 mA, η περιοχή τάσης είναι 2,7 V έως 5,5 V
- Η Melexis ξεκίνησε μια νέα έξυπνη λύση εκτροπής για την ενσωμάτωση αξιόπιστης ασφάλειας
- Η Toshiba έχει αναπτύξει την πρώτη μονάδα MOSFET 2200V Dual -Carbide του κλάδου για να βοηθήσει την αποτελεσματική και μικρογραφία του βιομηχανικού εξοπλισμού