Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - Single > IXFN27N80
IXFN27N80
IXFN27N80
Αριθμός εξαρτήματος:
IXFN27N80
Κατασκευαστής:
IXYS Corporation
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
51888 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
IXFN27N80.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply IXFN27N80, use the request quote form to request IXFN27N80 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFN27N80.The price and lead time for IXFN27N80 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFN27N80.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-IXFN27N80
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Τεχνολογία:MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:SOT-227B
Σειρά:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:300 mOhm @ 13.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):520W (Tc)
Συσκευασία:Tube
Συσκευασία / υπόθεση:SOT-227-4, miniBLOC
Αλλα ονόματα:468185
Q1653251
Θερμοκρασία λειτουργίας:-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Chassis Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):Not Applicable
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:9740pF @ 25V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:400nC @ 10V
FET Τύπος:N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):10V, 15V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):800V
Λεπτομερής περιγραφή:N-Channel 800V 27A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:27A (Tc)
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για IXFN27N80

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
IXFN30N120P Image IXFN30N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B Έρευνα
IXFN240N15T2 Image IXFN240N15T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 240A SOT227 Έρευνα
IXFN25N90 Image IXFN25N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B Έρευνα
IXFN300N20X3 Image IXFN300N20X3 IXYS Corporation 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Έρευνα
IXFN240N25X3 Image IXFN240N25X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B Έρευνα
IXFN30N110P Image IXFN30N110P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B Έρευνα
IXFN24N100F Image IXFN24N100F IXYS RF MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B Έρευνα
IXFN280N07 Image IXFN280N07 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B Έρευνα
IXFN260N17T Image IXFN260N17T IXYS Corporation MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227 Έρευνα
IXFN26N120P Image IXFN26N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B Έρευνα
IXFN24N100 Image IXFN24N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B Έρευνα
IXFN27N80Q Image IXFN27N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B Έρευνα
IXFN26N90 Image IXFN26N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B Έρευνα
IXFN32N100P Image IXFN32N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B Έρευνα
IXFN24N90Q Image IXFN24N90Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B Έρευνα
IXFN320N17T2 Image IXFN320N17T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 Έρευνα
IXFN280N085 Image IXFN280N085 IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B Έρευνα
IXFN32N100Q3 Image IXFN32N100Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227 Έρευνα
IXFN26N100P Image IXFN26N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B Έρευνα
IXFN300N10P Image IXFN300N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227 Έρευνα

Latest Ειδήσεις