W947D6HBHX5E TR
W947D6HBHX5E TR
Modèle de produit:
W947D6HBHX5E TR
Fabricant:
Winbond Electronics Corporation
La description:
IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
55966 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
W947D6HBHX5E TR.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-W947D6HBHX5E TR
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Écrire le temps de cycle - Word, Page:15ns
Tension - Alimentation:1.7 V ~ 1.95 V
La technologie:SDRAM - Mobile LPDDR
Package composant fournisseur:60-VFBGA (8x9)
Séries:-
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:60-TFBGA
Autres noms:W947D6HBHX5E CT
W947D6HBHX5E CT-ND
W947D6HBHX5ECT
Température de fonctionnement:-25°C ~ 85°C (TC)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Type de mémoire:Volatile
Taille mémoire:128Mb (8M x 16)
Interface mémoire:Parallel
Format de mémoire:DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée:SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 5ns 60-VFBGA (8x9)
Fréquence d'horloge:200MHz
Temps d'accès:5ns
Email:[email protected]

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