SIHD12N50E-GE3
- Modèle de produit:
- SIHD12N50E-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET N-CHAN 500V DPAK
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 31862 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SIHD12N50E-GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-SIHD12N50E-GE3 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | D-PAK (TO-252AA) |
| Séries: | E |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 114W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms: | SIHD12N50E-GE3CT SIHD12N50E-GE3CT-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 886pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 550V |
| Description détaillée: | N-Channel 550V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 10.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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