SIHB8N50D-GE3
- Modèle de produit:
- SIHB8N50D-GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 71916 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SIHB8N50D-GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-SIHB8N50D-GE3 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-263 (D²Pak) |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 850 mOhm @ 4A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 156W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 527pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 500V |
| Description détaillée: | N-Channel 500V 8.7A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 8.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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