SI6423DQ-T1-GE3
- Modèle de produit:
- SI6423DQ-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay / Siliconix
- La description:
- MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 58145 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SI6423DQ-T1-GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-SI6423DQ-T1-GE3 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Test: | - |
| Tension - Ventilation: | 8-TSSOP |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 8.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V |
| Vgs (Max): | 1.8V, 4.5V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries: | TrenchFET® |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8.2A (Ta) |
| Polarisation: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Autres noms: | SI6423DQ-T1-GE3TR SI6423DQT1GE3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 15 Weeks |
| Référence fabricant: | SI6423DQ-T1-GE3 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 110nC @ 5V |
| type de IGBT: | ±8V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 800mV @ 400µA |
| Fonction FET: | P-Channel |
| Description élargie: | P-Channel 12V 8.2A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
| Tension drain-source (Vdss): | - |
| La description: | MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 12V |
| Ratio de capacité: | 1.05W (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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