Numéro de pièce interne | RO-SI6433BDQ-T1-E3 |
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État | Original New |
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Remplacement | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±8V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | 8-TSSOP |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 40 mOhm @ 4.8A, 4.5V |
Dissipation de puissance (max): | 1.05W (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Autres noms: | SI6433BDQ-T1-E3TR SI6433BDQT1E3 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 4.5V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 2.5V, 4.5V |
Tension drain-source (Vdss): | 12V |
Description détaillée: | P-Channel 12V 4A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 4A (Ta) |
Email: | [email protected] |