SI4860DY-T1-E3
- Modèle de produit:
- SI4860DY-T1-E3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 81221 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- SI4860DY-T1-E3.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-SI4860DY-T1-E3 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA (Min) |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-SO |
| Séries: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8 mOhm @ 16A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.6W (Ta) |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | SI4860DY-T1-E3DKR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | N-Channel 30V 11A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 11A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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