IXDN602SIATR
Modèle de produit:
IXDN602SIATR
Fabricant:
IXYS Integrated Circuits Division
La description:
2A 8 LEAD SOIC DUAL NON INVERTIN
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
47816 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXDN602SIATR.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-IXDN602SIATR
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Alimentation:4.5 V ~ 35 V
Package composant fournisseur:8-SOIC
Séries:-
Rise / Fall Time (Typ):7.5ns, 6.5ns
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Nombre de conducteurs:2
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:7 Weeks
Tension logique - VIL, VIH:0.8V, 3V
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Non-Inverting
Type de porte:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Configuration pilotée:Low-Side
Description détaillée:Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
Current - Peak Output (Source, Évier):2A, 2A
courant de charge:Independent
Email:[email protected]

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