IXDN602PI
Modèle de produit:
IXDN602PI
Fabricant:
IXYS Integrated Circuits Division
La description:
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-DI
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
66617 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXDN602PI.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-IXDN602PI
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - Alimentation:4.5 V ~ 35 V
Package composant fournisseur:8-DIP
Séries:-
Rise / Fall Time (Typ):7.5ns, 6.5ns
Emballage:Tube
Package / Boîte:8-DIP (0.300", 7.62mm)
Autres noms:CLA355
IXDN602PI-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Nombre de conducteurs:2
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:7 Weeks
Tension logique - VIL, VIH:0.8V, 3V
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Non-Inverting
Type de porte:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Configuration pilotée:Low-Side
Description détaillée:Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-DIP
Current - Peak Output (Source, Évier):2A, 2A
courant de charge:Independent
Email:[email protected]

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