HS1ML R3G
- Modèle de produit:
- HS1ML R3G
- Fabricant:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- La description:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A SUB SMA
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 65817 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- HS1ML R3G.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-HS1ML R3G |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.7V @ 1A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 1000V |
| Package composant fournisseur: | Sub SMA |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 75ns |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | DO-219AB |
| Autres noms: | HS1ML R3GTR HS1ML R3GTR-ND HS1MLR3GTR |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 21 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Standard |
| Description détaillée: | Diode Standard 1000V 1A Surface Mount Sub SMA |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 5µA @ 1000V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 1A |
| Capacité à Vr, F: | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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