GA20SICP12-247
- Modèle de produit:
- GA20SICP12-247
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- TRANS SJT 1200V 45A TO247
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 86476 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- GA20SICP12-247.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-GA20SICP12-247 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | - |
| La technologie: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Package composant fournisseur: | TO-247AB |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 50 mOhm @ 20A |
| Dissipation de puissance (max): | 282W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-247-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 3091pF @ 800V |
| type de FET: | - |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | - |
| Tension drain-source (Vdss): | 1200V |
| Description détaillée: | 1200V 45A (Tc) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 45A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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