GA20SICP12-247
- Número de pieza:
- GA20SICP12-247
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- TRANS SJT 1200V 45A TO247
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 86476 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- GA20SICP12-247.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-GA20SICP12-247 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
| Vgs (Max): | - |
| Tecnología: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Paquete del dispositivo: | TO-247AB |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 50 mOhm @ 20A |
| La disipación de energía (máximo): | 282W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 18 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3091pF @ 800V |
| Tipo FET: | - |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 1200V |
| Descripción detallada: | 1200V 45A (Tc) 282W (Tc) Through Hole TO-247AB |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 45A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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