BSP297 E6327
BSP297 E6327
Modèle de produit:
BSP297 E6327
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
Statut RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
la quantité en dépôt:
38818 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
BSP297 E6327.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-BSP297 E6327
État Original New
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Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:1.8V @ 400µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-SOT223-4
Séries:SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Dissipation de puissance (max):1.8W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-261-4, TO-261AA
Autres noms:BSP297 E6327-ND
BSP297E6327
BSP297E6327T
SP000011108
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:357pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:16.1nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):200V
Description détaillée:N-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:660mA (Ta)
Email:[email protected]

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