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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > APTC60AM70T1G
APTC60AM70T1G
Modèle de produit:
APTC60AM70T1G
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
62249 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.APTC60AM70T1G.pdf2.APTC60AM70T1G.pdf
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introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-APTC60AM70T1G
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:3.9V @ 2.7mA
Package composant fournisseur:SP1
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 39A, 10V
Puissance - Max:250W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP1
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:7000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:259nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 39A 250W Chassis Mount SP1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:39A
Email:[email protected]

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