Numéro de pièce interne | RO-AOWF25S65 |
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État | Original New |
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Remplacement | See datasheet |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±30V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Séries: | aMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 12.5A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 28W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
Autres noms: | 785-1530-5 AOWF25S65-ND |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1278pF @ 100V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 26.4nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 650V |
Description détaillée: | N-Channel 650V 25A (Tc) 28W (Tc) Through Hole |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 25A (Tc) |
Email: | [email protected] |