2SC3356-T1B-R24-A
- Modèle de produit:
- 2SC3356-T1B-R24-A
- Fabricant:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- La description:
- SAME AS NE85633 NPN SILICON AMPL
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 63737 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 2SC3356-T1B-R24-A.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-2SC3356-T1B-R24-A |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 12V |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | SOT-23 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 200mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | 1.1dB @ 1GHz |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gain: | 11.5dB |
| Fréquence - Transition: | 7GHz |
| Description détaillée: | RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount SOT-23 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 50 @ 20mA, 10V |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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