1N3879
1N3879
Modèle de produit:
1N3879
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
DIODE GEN PURP 50V 6A DO4
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
69125 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.1N3879.pdf2.1N3879.pdf

introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-1N3879
État Original New
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Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.4V @ 6A
Tension - inverse (Vr) (max):50V
Package composant fournisseur:DO-4
La vitesse:Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):200ns
Emballage:Bulk
Package / Boîte:DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms:1242-1087
Température d'utilisation - Jonction:-65°C ~ 150°C
Type de montage:Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type de diode:Standard
Description détaillée:Diode Standard 50V 6A Chassis, Stud Mount DO-4
Courant - fuite, inverse à Vr:15µA @ 50V
Courant - Rectifié moyenne (Io):6A
Capacité à Vr, F:-
Numéro de pièce de base:1N3879
Email:[email protected]

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