1N3879
- Número de pieza:
- 1N3879
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descripción:
- DIODE GEN PURP 50V 6A DO4
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 69125 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.1N3879.pdf2.1N3879.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-1N3879 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.4V @ 6A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 50V |
| Paquete del dispositivo: | DO-4 |
| Velocidad: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 200ns |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Otros nombres: | 1242-1087 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -65°C ~ 150°C |
| Tipo de montaje: | Chassis, Stud Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Standard |
| Descripción detallada: | Diode Standard 50V 6A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 15µA @ 50V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 6A |
| Capacitancia Vr, F: | - |
| Número de pieza base: | 1N3879 |
| Email: | [email protected] |
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