TK50P03M1(T6RSS-Q)
- Osa numero:
- TK50P03M1(T6RSS-Q)
- Valmistaja:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Kuvaus:
- MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3
- RoHS-tila:
- Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 45861 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- TK50P03M1(T6RSS-Q).pdf
esittely
We can supply TK50P03M1(T6RSS-Q), use the request quote form to request TK50P03M1(T6RSS-Q) pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TK50P03M1(T6RSS-Q).The price and lead time for TK50P03M1(T6RSS-Q) depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TK50P03M1(T6RSS-Q).We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-TK50P03M1(T6RSS-Q) |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 200µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| teknologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Toimittaja Device Package: | DP |
| Sarja: | U-MOSVI-H |
| RDS (Max) @ Id, Vgs: | 7.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Tehonkulutus (Max): | 47W (Tc) |
| Pakkaus: | Cut Tape (CT) |
| Pakkaus / Case: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Muut nimet: | TK50P03M1(T6RSSQ)CT TK50P03M1T6RSSQ |
| Käyttölämpötila: | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds: | 1700pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 25.3nC @ 10V |
| FET tyyppi: | N-Channel |
| FET Ominaisuus: | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Valua lähde jännite (Vdss): | 30V |
| Yksityiskohtainen kuvaus: | N-Channel 30V 50A (Ta) 47W (Tc) Surface Mount DP |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: | 50A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat TK50P03M1(T6RSS-Q)
Latest News
- Toshiba on kehittänyt alan ensimmäisen 2200 V: n kaksoiskarbidi -MOSFET -moduulin teollisuuslaitteiden tehokkaan ja miniatyrisoinnin auttamiseksi
- Toshiba julkaisi ensimmäisen 200V transistorilähdön auto optoerotin
- TOSHIBA tuo markkinoille korkean aaltoilun hylkäyssuhteen ja matalan melutason LDO-säätimen, jolla on parempi voimajohtojen vakaus
- TOSHIBA esitteli kevyet ja ohuet optoerottimet IGBT- ja MOSFET-porttiasemille, korkean lämpötilan toiminnalle, takapuolelle tai korkeudelle rajoitetut asennot: TLP5751H, TLP5752H, TLP5754H
- TOSHIBA tuo markkinoille erilliset IGBT-laitteet, jotka auttavat vähentämään kodinkoneiden virrankulutusta ja säteilyä: GT30J110SRA
- Toshiba tuo markkinoille 5A 2-kanavan H-sillan moottoriohjaimen IC autosovelluksiin
- Toshiba tuo markkinoille 5 uutta TXZ + ™ -perheen edistynyttä mikrokontrolleria pienen virrankulutuksen, tukijärjestelmän pienentämisen ja moottorin ohjauksen saavuttamiseksi