TISP4250M3BJR
- Osa numero:
- TISP4250M3BJR
- Valmistaja:
- Bourns, Inc.
- Kuvaus:
- SURGE SUPP 190V BIDIR DO-214AA
- RoHS-tila:
- Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva
- Määrä varastossa:
- 46825 Pieces
- Toimitusaika:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tuotantoaika:
- 4-8 weeks
- Tietolomake:
- TISP4250M3BJR.pdf
esittely
We can supply TISP4250M3BJR, use the request quote form to request TISP4250M3BJR pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TISP4250M3BJR.The price and lead time for TISP4250M3BJR depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TISP4250M3BJR.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
tekniset tiedot
| Sisäinen osanumero | RO-TISP4250M3BJR |
|---|---|
| Kunto | Original New |
| Maa alkuperä | Contact us |
| Alkuun Merkintä | email us |
| Korvaus | See datasheet |
| Jännite - On State: | 3V |
| Jännite - Off State: | 190V |
| Jännite - breakover: | 250V |
| Sarja: | - |
| Pakkaus: | Tape & Reel (TR) |
| Pakkaus / Case: | DO-214AA, SMB |
| Lukumäärä Elements: | 1 |
| Asennustyyppi: | Surface Mount |
| Kosteuden herkkyys (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Lyijytön tila / RoHS-tila: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Nykyinen - Peak Pulse (8 / 20μs): | 220A |
| Nykyinen - Peak Pulse (10 / 1000μs): | 50A |
| Nykyinen - Hold (Ih): | 150mA |
| kapasitanssi: | 50pF |
| Email: | [email protected] |
Aiheeseen liittyvät osat TISP4250M3BJR
| Kuva | Osa numero | valmistajat | Kuvaus | näkymä |
|---|---|---|---|---|
 |
TISP4260F3LMR | Bourns, Inc. | SURGE SUPP THYRISTOR 200V TO-92 | tiedustelu |
|
TISP4260F3LMFR-S | Bourns, Inc. | PROTECTOR SINGLE BIDIRECTIONAL | tiedustelu |
|
TISP4250M3LMFR-S | Bourns, Inc. | PROTECTOR SINGLE BIDIRECTIONAL | tiedustelu |
|
TISP4260F3LM | Bourns, Inc. | SURGE SUPP THYRISTOR 200V TO-92 | tiedustelu |
|
TISP4250M3LMR | Bourns, Inc. | SURGE SUPP THYRISTOR 190V TO-92 | tiedustelu |
|
TISP4250H3LM | Bourns, Inc. | SURGE SUPP THYRISTOR 190V TO-92 | tiedustelu |
|
TISP4240M3LMFR | Bourns, Inc. | SURGE SUPP THYRISTOR 180V TO-92 | tiedustelu |
|
TISP4260F3LMFR | Bourns, Inc. | SURGE SUPP THYRISTOR 200V TO-92 | tiedustelu |
|
TISP4240M3LMR | Bourns, Inc. | SURGE SUPP THYRISTOR 180V TO-92 | tiedustelu |
 |
TISP4250J3BJR-S | Bourns, Inc. | SINGLE BIDIRECTIONAL PROTECTOR | tiedustelu |
|
TISP4250M3LMFR | Bourns, Inc. | SURGE SUPP THYRISTOR 190V TO-92 | tiedustelu |
|
TISP4250H3LMFR | Bourns, Inc. | SURGE SUPP THYRISTOR 190V TO-92 | tiedustelu |
|
TISP4250M3LMR-S | Bourns, Inc. | SINGLE BIDIRECTIONAL PROTECTOR | tiedustelu |
 |
TISP4250J1BJR-S | Bourns, Inc. | PROTECTOR SINGLE BIDIRECTIONAL | tiedustelu |
|
TISP4240M3LM | Bourns, Inc. | SURGE SUPP THYRISTOR 180V TO-92 | tiedustelu |
 |
TISP4250M3AJR-S | Bourns, Inc. | SINGLE BIDIRECTIONAL PROTECTOR | tiedustelu |
|
TISP4250H3BJR-S | Bourns, Inc. | PROTECTOR OVERVOLTAGE 250V | tiedustelu |
|
TISP4250M3LM | Bourns, Inc. | SURGE SUPP THYRISTOR 190V TO-92 | tiedustelu |
|
TISP4250H3LMR | Bourns, Inc. | SURGE SUPP THYRISTOR 190V TO-92 | tiedustelu |
|
TISP4250M3BJR-S | Bourns, Inc. | SINGLE BIDIRECTIONAL PROTECTOR | tiedustelu |
Latest News
- Toshiba käynnistää SmartMCD -sarjan portinohjaimen IC sulautetulla mikrokontrollerilla
- ADI -käyttöönotto Sambanova Kit, joka edistää tuotantokaava AI: n läpimurron saavuttamiseksi yritystasolla
- Honeywell ja Adi liittyivät kätensä edistämään rakennusautomaation innovaatiota ja muutosta
- Maxim ilmoitti julkaisusta
- Maxim käynnistää auton DC-DC-muunnin max16984, auton, jossa on integroitu USB-latausluettelot
- Renesas Electronics käynnistää alan ensimmäisen ohjelmoitavan sähköohjaimen IC
- Renesas käynnisti ensimmäisen sukupolven 32-bittisen RISC-V-CPU-ytimen
- Vishay lanseerasi uuden 10 MBD: n matalan voimanvalokytkimen, niin alhainen kuin 5 Ma, jännitealue on 2,7 V -5,5 V
- Melexis käynnisti uuden älykkään ohjausratkaisun luotettavan turvallisuuden integroimiseksi
- Toshiba on kehittänyt alan ensimmäisen 2200 V: n kaksoiskarbidi -MOSFET -moduulin teollisuuslaitteiden tehokkaan ja miniatyrisoinnin auttamiseksi
- DDR5 -aikakausi on lähestymässä, ja uusia haasteita ei voida sivuuttaa
- Renesas avaa seuraavan sukupolven Car SOC- ja MCU -prosessorin tuoteraittikartan